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TIC226B	文件：212.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION Thisdeviceisabidirectionaltriodethyristor(triac)whichmaybetriggeredfromtheoff-statetotheon-statebyeitherpolarityofgatesignalwithmainTerminal2ateitherpolarity. SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR ?8ARMS ?70APeak ?GlassPassivated	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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TIC226C	文件：212.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR DESCRIPTION Thisdeviceisabidirectionaltriodethyristor(triac)whichmaybetriggeredfromtheoff-statetotheon-statebyeitherpolarityofgatesignalwithmainTerminal2ateitherpolarity. SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR ?8ARMS ?70APeak ?GlassPassivated	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIC226C	文件：210.32 Kbytes Page：3 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR DESCRIPTION Thisdeviceisabidirectionaltriodethyristor(triac)whichmaybetriggeredfromtheoff-statetotheon-statebyeitherpolarityofgatesignalwithmainTerminal2ateitherpolarity. ?Highcurrenttriacs ?16ARMS ?70APeak ?GlassPassivatedWafer ?200	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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TIC226D	文件：158.25 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRIACS Features ●8ARMS,70APeak ●GlassPassivatedWafer ●400Vto800VOff-StateVoltage ●MaxIGTof50mA(Quadrants1-3)	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIC226D	文件：212.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR DESCRIPTION Thisdeviceisabidirectionaltriodethyristor(triac)whichmaybetriggeredfromtheoff-statetotheon-statebyeitherpolarityofgatesignalwithmainTerminal2ateitherpolarity. SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR ?8ARMS ?70APeak ?GlassPassivated	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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TIC226D	文件：181.73 Kbytes Page：4 Pages	SILICONTRIACS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TIC226D	文件：112.26 Kbytes Page：2 Pages	SILICONTRIACS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
TIC226D	文件：165.05 Kbytes Page：4 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIC226D	文件：109.08 Kbytes Page：1 Pages	iscTriacs	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
TIC226E	文件：210.32 Kbytes Page：3 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR DESCRIPTION Thisdeviceisabidirectionaltriodethyristor(triac)whichmaybetriggeredfromtheoff-statetotheon-statebyeitherpolarityofgatesignalwithmainTerminal2ateitherpolarity. ?Highcurrenttriacs ?16ARMS ?70APeak ?GlassPassivatedWafer ?200	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIC226E	文件：212.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR DESCRIPTION Thisdeviceisabidirectionaltriodethyristor(triac)whichmaybetriggeredfromtheoff-statetotheon-statebyeitherpolarityofgatesignalwithmainTerminal2ateitherpolarity. SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR ?8ARMS ?70APeak ?GlassPassivated	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIC226E	文件：165.05 Kbytes Page：4 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIC226M	文件：212.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR DESCRIPTION Thisdeviceisabidirectionaltriodethyristor(triac)whichmaybetriggeredfromtheoff-statetotheon-statebyeitherpolarityofgatesignalwithmainTerminal2ateitherpolarity. SILICONBIDIRECTIONALTRIODETHYRISTOR ?8ARMS ?70APeak ?GlassPassivated	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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晶體管資料

型號：
TIC226B
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Triac
性質(zhì)：
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
200V
最大電流允許值：
8A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BT137/…,MAC222…,TAG224…,T2802…,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
200
htest：
999900
atest：
8
wtest：
0

詳細參數(shù)

型號：
TIC226B
制造商：
COMSET
制造商全稱：
Comset Semiconductor
功能描述：
SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

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晶體管資料

詳細參數(shù)

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