TIP111分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
TIP111 |
參數(shù)屬性 | TIP111 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 2A TO220 |
功能描述 | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
269.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-6-23 11:46:00 |
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TIP111屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的TIP111晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Designed for general?purpose amplifier and low?speed switching applications.
Features
? High DC Current Gain ?
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 1.0 Adc
? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? TIP110, TIP115
= 80 Vdc (Min) ? TIP111, TIP116
= 100 Vdc (Min) ? TIP112, TIP117
? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?
VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC
= 2.0 Adc
? Monolithic Construction with Built?in Base?Emitter Shunt Resistors
? Pb?Free Packages are Available*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
TIP111
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
2.5V @ 8mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
2mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 1A,4V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 2A TO220
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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