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TIP112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

TIP112
廠商型號(hào)

TIP112
參數(shù)屬性

TIP112 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
功能描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

103.57 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-8 23:00:00
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TIP112規(guī)格書詳情

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe.

They are designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications.

PNP complements are TIP115-116-117

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TIP112

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 8mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 1A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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