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TK10A50D中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TK10A50D
廠商型號

TK10A50D
功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
絲印標識

K10A50D
封裝外殼

SC-67
文件大小

205.01 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 15:40:00

TK10A50D規(guī)格書詳情

Official Site : http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=TK10A50D&lang=en

? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.62 ?(typ.)

? High forward transfer admittance: ?Yfs?= 5.0 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 500 V)

? Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    TK10A50D

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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