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TK3R9E10PL

High-Efficiency DC-DC Converters

Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=99nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3m?(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) (6)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK3R9E10PL

Marking：K3R9E10PL；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-channel MOS

1.Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=99nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK3R9E10PL_V01

MOSFETs Silicon N-channel MOS

1.Applications ?High-EfficiencyDC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=99nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TK3R9E10PL供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 15:00:00

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