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TK80E06K3A

MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.8m?(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications ?SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多TK80E06K3IC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-1 14:20:00

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