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TPC6003

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

TPC6003

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅢ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 馬來西亞\n; Drain current ID 6 A \nPower Dissipation PD 2.2 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \n;

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

Toshiba

TPC6003

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

TPC6003

Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

TPC6003_07

Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TOSHIBA

詳細參數

  • 型號：

    TPC6003

  • 制造商：

    TOSHIBA

  • 制造商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述：

    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(U-MOSIII)

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更多TPC6003供應商 更新時間2025-8-3 14:14:00

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