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TPC8121中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TPC8121
廠商型號(hào)

TPC8121

功能描述

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS V)

文件大小

188.99 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 18:30:00

TPC8121規(guī)格書詳情

Notebook PC Applications

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

? Small footprint due to small and thin package

? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 8.0 mΩ(typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 23 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS= ?10 μA (max) (VDS= ?30 V)

? Enhancement mode: Vth= ?0.8 to ?2.0 V (VDS= ?10 V, ID= ?1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TPC8121

  • 功能描述:

    MOSFET P-ch -30V -11A SOP-8

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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