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TRS10E65H

Marking:S10E65H;Package:TO-220-2L;SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=27nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.0μA(typ.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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TRS10E65C

SiCSchottkyBarrierDiode

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TRS10E65F

SiCSchottkyBarrierDiode

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更多TRS10E65H供應(yīng)商 更新時間2025-7-19 15:47:00