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TS3DDR4000

3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道 DDR2、DDR3 和 DDR4 開關(guān); ? 寬 VDD 范圍：2.375V 至 3.6V \n? 高帶寬：5.6GHz（單端典型值）；6.0GHz（差分典型值）\n? 低開關(guān)導(dǎo)通電阻 (RON)：8?（典型值） \n? 低位間偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值為 6ps\n? 低串?dāng)_：1067MHz 下的典型值為 –34dB\n? 低工作電流：40μA（典型值）\n? 具有低功耗模式，電流消耗極低：2μA（典型值）\n? IOFF保護(hù)防止斷電狀態(tài) (VCC = 0V) 下的電流泄漏\n? 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令\n? 靜電放電 (ESD) 性能: \n? 3kV 人體放電模式（A114B，II 類） \n? 1kV 組件充電模式 (C101)\n \n? 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 間距 ZBA 封裝;

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 開關(guān)，可實(shí)現(xiàn) 12 位寬總線切換。該器件可針對所有位同時(shí)將 A 端口切換為 B 或 C 端口。TS3DDR4000 設(shè)計(jì)用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器總線系統(tǒng)，并且采用一種專有架構(gòu)，可提供高帶寬（單端 5.6GHz 下的帶寬為 -3dB）、低頻下的低插入損耗以及超低傳播延遲等諸多優(yōu)勢。TS3DDR4000 兼容 1.8V 邏輯，并且所有開關(guān)均為雙向開關(guān)，提高了設(shè)計(jì)靈活性。此外，TS3DDR4000 還具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻態(tài)且器件功耗最低。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TS3DDR4000

12-bits 1:2 High Speed DDR2/DDR3/DDR4 Switch/Multiplexer

TI1Texas Instruments

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TS3DDR4000ZBAR

12-bits 1:2 High Speed DDR2/DDR3/DDR4 Switch/Multiplexer

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TS3DDR4000-EVM

包裝：盒 功能：2:1 多路復(fù)用器 類別：開發(fā)板，套件，編程器 評估和演示板及套件 描述：EVALUATION MODULE TS3DDR4000

TI2Texas Instruments

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TS3DDR4000ZBAR

Package：48-TFBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 模擬開關(guān) - 特殊用途 描述：IC DDR SWITCH/MUX 48NFBGA

TI2Texas Instruments

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TS3DDR4000ZBAR

12-bits1:2HighSpeedDDR2/DDR3/DDR4Switch/Multiplexer

TI1Texas Instruments

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技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    2

  • Number of channels (#)：

    12

  • Bandwidth (MHz)：

    6000

  • Supply voltage (Max) (V)：

    3.6

  • Supply voltage (Min) (V)：

    2.375

  • Ron (Typ) (Ohms)：

    8.3

  • Input/ouput voltage (Min) (V)：

    0

  • Input/ouput voltage (Max) (V)：

    3.3

  • Supply current (Typ) (uA)：

    40

  • ESD HBM (Typ) (kV)：

    3

  • Operating temperature range (C)：

    -40 to 85

  • Crosstalk (dB)：

    -68

  • ESD CDM (kV)：

    1

  • ICC (Typ) (uA)：

    40

  • COFF (Typ) (pF)：

    1

  • CON (Typ) (pF)：

    0.5

  • Off isolation (Typ) (dB)：

    -34

  • OFF-state leakage current (Max) (μA)：

    5

  • Propagation delay (ns)：

    85

  • Ron (Max) (Ohms)：

    11.2

  • Ron channel match (Max) (Ohms)：

    1

  • RON flatness (Typ) (Ohms)：

    0.6

  • Turn off time (disable) (Max) (ns)：

    65

  • Turn on time (enable) (Max) (ns)：

    65

  • VIH (Min) (V)：

    1.4

  • VIL (Max) (V)：

    0.5

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多TS3DDR4000供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 17:06:00

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