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TSCDT08065G1

8A, 650V SiC Merged PIN Schottky Diode

FEATURES ●Maxjunctiontemperature175°C ●MPSstructureforhighruggednesstoforwardcurrent surgeevents ●High-speedswitchingpossible ●Highforwardsurgecapability ●High-frequencyoperation ●PositivetemperaturecoefficientonVF ●RoHScompliant ●Halogen-free APPLICATIONS

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

MSP08065G1

650VSiliconCarbideDiode

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

TSCDF08065G1

8A,650VSiCMergedPINSchottkyDiode

FEATURES ●Maxjunctiontemperature175°C ●MPSstructureforhighruggednesstoforwardcurrent surgeevents ●High-speedswitchingpossible ●Highforwardsurgecapability ●High-frequencyoperation ●PositivetemperaturecoefficientonVF ●RoHScompliant ●Halogen-free APPLICATION

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多TSCDT08065G1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-10 10:01:00

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