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TSM160N10LCR

Low gate charge for fast power switching

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSM160N10LCR

100V, 46A, Single N-Channel Power MOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

VSH160N10MS

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

VBSEMI

VSI160N10MS

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

DOINGTER

TSM16C

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技術(shù)參數(shù)

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    100

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    46

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (m?):

    16

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (m?):

    14

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (m?):

    20

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (m?):

    16

  • Qg (nC) @ 10V:

    73

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    36

  • Qgd (nC):

    15

  • Qgs (nC):

    17

  • Ciss (pF):

    4431

  • Coss (pF):

    158

  • Crss (pF):

    45

  • MSL:

    1

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.2

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.9

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多TSM160N10LCR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 14:01:00