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TSML3710-GS08

High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs

Description TSML3710isaninfraredemittingdiodeinGaAlAsonGaAstechnologyinminiaturePLCC-2SMDpackage. Features ?SMTIREDwithextrahighradiantpower ?Lowforwardvoltage ?Compatiblewithautomaticplacementequipment ?EIAandICEstandardpackage ?Suitable

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TSMF3710-GS08

HighSpeedInfraredEmittingDiode,870nm,GaAlAsDoubleHetero

Description TSMF3710isahighspeedinfraredemittingdiodeinGaAlAsdoublehetero(DH)technologyinaminiaturePLCC-2SMDpackage. DHtechnologycombineshighspeedwithhighradiantpoweratwavelengthof870nm. Features ?Highradiantpower ?Highspeedtr=30ns ?Highmodulationb

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VSMF3710-GS08

HighSpeedInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,890nm,GaAlAsDoubleHetero

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VSMF3710-GS08

HighSpeedInfraredEmittingDiode

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VSMF3710-GS08

HighSpeedInfraredEmittingDiode,890nm,GaAlAsDoubleHetero

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VSMF3710-GS08

HighSpeedInfraredEmittingDiode,890nmRoHSCompliant,ReleasedforLead(Pb)-freeSolderProcess

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VSML3710-GS08

HighPowerInfraredEmittingDiode,940nm,GaAlAs,MQW

DESCRIPTION VSML3710isaninfrared,940nmemittingdiodeinGaAlAs, MQW(multiquantumwell)technologywithhighradiant power,moldedinaPLCC-2packageforsurfacemounting (SMD). FEATURES ?Packagetype:surfacemount ?Packageform:PLCC-2 ?Dimensions(LxWxHinmm):3.5x2.

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VSML3710-GS08

HighPowerInfraredEmittingDiode

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HighPowerInfraredEmittingDiode,940nm,GaAlAs/GaAs

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HighPowerInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,940nm,GaAlAs/GaAs

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    TSML3710-GS08

  • 功能描述：

    紅外發(fā)射源 60 Degree 170mW

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 波長：

    880 nm

  • 射束角：

    +/- 25

  • 最大工作溫度：

    + 100 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 封裝/箱體：

    Side Looker

  • 封裝：

    Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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8000
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多TSML3710-GS08供應商 更新時間2025-1-26 11:03:00

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