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TZ0909C	文件：182.55 Kbytes Page：8 Pages	Crystal Unit SMD 2.5x2.0 38.4MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
0909	文件：388.09 Kbytes Page：2 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
0909	文件：279.18 Kbytes Page：3 Pages	StripBlockforSnap-inMountingwithupto7IECApplianceOutletsF	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
0909	文件：562.02 Kbytes Page：2 Pages	CCDcameras	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
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0909ND	文件：1.56275 Mbytes Page：11 Pages	DualN-channelOptiMOS??MOSFET Features ·DualN-channelOptiMOS?MOSFET ·Enhancementmode ·Logiclevel(4.5Vrated) ·Avalancherated ·100Lead-free;RoHScompliant ·Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
0909NS	文件：1.23512 Mbytes Page：11 Pages	n-ChannelPowerMOSFET 1.Description OptiMOS?30VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpower densityandenergyefficientsolutions.Ultralowgate-andoutputchargestogether withlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS?30V thebestchoiceforthedemandingrequirements	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
APLT0909-RT	文件：80.81 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
BSC0909NS	文件：1.52818 Mbytes Page：12 Pages	n-ChannelPowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSZ0909ND	文件：1.56275 Mbytes Page：11 Pages	DualN-channelOptiMOS??MOSFET Features ·DualN-channelOptiMOS?MOSFET ·Enhancementmode ·Logiclevel(4.5Vrated) ·Avalancherated ·100Lead-free;RoHScompliant ·Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSZ0909NS	文件：1.23512 Mbytes Page：11 Pages	n-ChannelPowerMOSFET 1.Description OptiMOS?30VproductsareclassleadingpowerMOSFETsforhighestpower densityandenergyefficientsolutions.Ultralowgate-andoutputchargestogether withlowestonstateresistanceinsmallfootprintpackagesmakeOptiMOS?30V thebestchoiceforthedemandingrequirements	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
DMI0909	文件：197.58 Kbytes Page：4 Pages	LeadedPowerChokesDMI	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
MGF0909	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0909A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES ?Highoutputpower P1dB=38dBm(TYP.)@f=2.3GHz ?Highpowergain GLP=11dB(TYP.)@f=2.3GHz,Pin=20dBm ?Highpoweraddedefficiency hadd=45(TYP.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0909A	文件：22.93 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF0909A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES ?Highoutputpower P1dB=38dBm(TYP.)@f=2.3GHz ?Highpowergain GLP=11dB(TYP.)@f=2.3GHz,Pin=20dBm ?Highpoweraddedefficiency hadd=45(TYP.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0909A	文件：38.08 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET?	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF0909A	文件：115.2 Kbytes Page：3 Pages	High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
PA0909	文件：631.28 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyPlanarTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
PA0909NL	文件：116.35 Kbytes Page：4 Pages	HIGHFREQUENCYPLANARTRANSFORMERS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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深圳市索歌特科技有限公司	TZ0909C	TST	23+	-	28000	華南總代	詢價
深圳市星辰微電科技有限公司	TZ0909D	TST	23+	SMD	56000	TST全系列在售,支持實單	詢價
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更多TZ0909C供應(yīng)商更新時間2025-1-11 9:18:00

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