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UHB50SC12E1BC3N中文資料威訊聯(lián)合數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UHB50SC12E1BC3N
廠商型號

UHB50SC12E1BC3N

功能描述

1200V-50A SiC Half-Bridge Module

絲印標識

UHB50SC12E1BC3N

封裝外殼

E1B

文件大小

1.45817 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Qorvo, Inc
企業(yè)簡稱

QORVO威訊聯(lián)合

中文名稱

威訊聯(lián)合半導體(德州)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-7 17:30:00

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UHB50SC12E1BC3N規(guī)格書詳情

Features

* On-resistance: RDS(on) = 19mW (typ)

* Operating temperature: 150°C (max)

* Excellent reverse recovery: Qrr = 495nC

* Low body diode voltage: VFSD= 1.2V

* Low gate charge: QG = 85nC

* Threshold voltage VG(th): 5V (typ) allowing 0 to 15V drive

* ESD protected: HBM class 2 and CDM class C3

* Low intrinsic capacitance

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ASI
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NICHICON/尼吉康
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