UMZ1NT1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
UMZ1NT1 |
| 功能描述 | Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor |
| 文件大小 |
68.65 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-27 22:30:00 |
| 人工找貨 | UMZ1NT1價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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Features
? High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA
? High hFE: hFE = 200400
? Moisture Sensitivity Level: 1
? ESD Rating ? Human Body Model: 3A
? Machine Model: C
? Pb?Free Package is Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
UMZ1NT1
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
SOT363 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
6250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
ON |
1811+ |
SOT363 |
9000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON |
11+ |
5325 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
ONS |
23+ |
UMZ1NT1 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+ |
NA |
3872 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) |
