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UN0608N6R6-T52中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UN0608N6R6-T52
廠商型號

UN0608N6R6-T52

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識

UN0608N

封裝外殼

TO-252

文件大小

8.41576 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 UN Semiconducctor INC
企業(yè)簡稱

UNSEMI優(yōu)恩半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:00:00

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UN0608N6R6-T52規(guī)格書詳情

Features

Use Trench MOSFET Technology

High Density Cell Design For Low RDS(ON)

Material: Halogen Free

Reliable and Rugged

Avalanche Rated

Low Leakage Current

Applications

PWM Applications

Load Switch

Power Management in Portable/Desktop PCs

DC/DC Conversion

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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