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UNR2110分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

UNR2110
廠商型號

UNR2110

參數(shù)屬性

UNR2110 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

功能描述

Silicon PNP epitaxial planar type

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

443.54 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Panasonic Semiconductor
企業(yè)簡稱

Panasonic松下

中文名稱

松下電器官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-24 17:29:00

UNR2110規(guī)格書詳情

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

■ Features

? Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

? Mini type package allowing easy automatic insertion through tape

packing and magazine packing

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    UNR211000L

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    迷你型3-G1

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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