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UNR411E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

UNR411E
廠商型號(hào)

UNR411E

參數(shù)屬性

UNR411E 封裝/外殼為3-SIP;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

功能描述

Silicon PNP epitaxial planar type

封裝外殼

3-SIP

文件大小

384.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Panasonic Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Panasonic松下

中文名稱

松下電器官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-12 16:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    UNR411E00A

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    3-SIP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NS-B1

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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