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UPA1754G

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION ThisproductisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforLi-ionbatteryapplications andpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES ·Dualchiptype ·Lowon-resistance RDS(on)1=32mWMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=53mWMAX.(VGS

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DrywallPunch

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Series2400SourceMeterSMUInstruments

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2461-ECGraphicalPotentiostat

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更多UPA1754G供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 16:31:00

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