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UPA2561T1H中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA2561T1H
廠商型號

UPA2561T1H

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

314.27 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-24 20:00:00

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UPA2561T1H規(guī)格書詳情

Description

The μ PA2561 is Dual N-channel MOSFETs designed for back light inverters and power management applications of portable equipments. Dual N-channel MOSFETs are assembled in one package, to contribute minimize the equipments.

Features

? 2.5 V drive available

? Low on-state resistance

? RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2 A)

? RDS(on)2 = 65 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 2 A)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
23+
NA/
45250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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