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UPA800T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITHBUILT-IN2ELEMENTS)MINIMOLD TheμPA800Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPA800T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITHBUILT-IN2ELEMENTS)MINIMOLD TheμPA800Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA800T-T1

包裝：托盤 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

CEL

California Eastern Labs

UPA800T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA800T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA800T-T1-A

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    UPA800T-T1

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 5mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-SO

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
NEC
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SOT-363
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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NEC
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SOT363
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SOT-363
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更多UPA800T-T1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 13:01:00

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