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UPA835TF	文件：72.41 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA835TFhastwodifferentbuilt-intransistorsforlowcostamplifierandoscillatorapplicationsintheVHF/UHFband.Lownoisefigures,highgain,highcurrentcapability,andmediumoutputgivethisdevicehighdynamicrangeandexcellentlinearityfortwo-stageamplifiers.Th	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPA835TF	文件：208.74 Kbytes Page：14 Pages	Silicon Transistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA835TF-T1	文件：72.41 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA835TFhastwodifferentbuilt-intransistorsforlowcostamplifierandoscillatorapplicationsintheVHF/UHFband.Lownoisefigures,highgain,highcurrentcapability,andmediumoutputgivethisdevicehighdynamicrangeandexcellentlinearityfortwo-stageamplifiers.Th	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPC835	文件：289.7 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Inputoffsetvoltage±3mVMAX. ?Slewrate5.5V/μsTYP. ?Unitygainfrequency2.8MHzTYP. ?LowpowerICC≤2.2mAMAX. (Reducescircuitcurrentswhilemaintainingrelativelyhighslewrateandbandwidth) ?Highstabilityissecuredtocapacitiveloads (4000pF,AV=+1) ?	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPS835L	文件：54.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER8AMP35VOLT SURFACEMOUNT POWERMITE?3SurfaceMountPowerPackage Features ?LowProfile–Maximumheightof1.1mm ?FootprintAreaof16.51mm ?LowVFProvidesHigherEfficiency ?Suppliedin16mmTapeandReel–6000units/reel ?LowThermalResistancewithDirectThermalPathofDieonExposedCa	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UPS835L	文件：488.19 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER8AMP35VOLT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
USD835	文件：94.57 Kbytes Page：1 Pages	POWERSCHOTTKYRECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
USD835	文件：90.54 Kbytes Page：2 Pages	POWERSCHOTTKYRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
VSC835	文件：162.03 Kbytes Page：18 Pages	34x34CrosspointSwitchwithSignalDetection GeneralDescription TheVSC835isamonolithic34x34asynchronouscrosspointswitch,designedtocarrybroadbanddatastreamsatupto2.5Gbit/s.Thenon-blockingswitchcoreisprogrammedthroughaparallelportinterfacethatallowsrandomaccessprogrammingofeachoutputport.Ahighdegree	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
WA835	文件：114.52 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeCementCoatedWirewoundResistors	WELWYN Welwyn Components Limited	WELWYN
WP835	文件：409.42 Kbytes Page：6 Pages	5mmx10mmLIGHTBAR	Kingbright Kingbright Company LLC	Kingbright
XC835	文件：2.06512 Mbytes Page：57 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
XC835	文件：1.36759 Mbytes Page：56 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller TheXC835/836hasthefollowingfeatures: ?High-performanceXC800Core –compatiblewithstandard8051processor –twoclockspermachinecyclearchitecture(formemoryaccesswithoutwaitstate) –twodatapointers ?On-chipmemory –8KbytesofBootROM,LibraryROMandUserr	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
XC835M	文件：2.06512 Mbytes Page：57 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
XC835MT	文件：2.06512 Mbytes Page：57 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
XC835T	文件：2.06512 Mbytes Page：57 Pages	8-BitSingle-ChipMicrocontroller	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
ZC835	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCEDIODES SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCE FEATURES CloseToleranceC-VCharacteristics HighTuningRatio *LowIREnablingExcellentPhaseNoisePerformance(IRTypically	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC835A	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCEDIODES SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCE FEATURES CloseToleranceC-VCharacteristics HighTuningRatio *LowIREnablingExcellentPhaseNoisePerformance(IRTypically	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC835ATA	文件：93.03 Kbytes Page：6 Pages	SILICON25VHYPERABRUPTVARACTORDIODES Description Arangeofsiliconvaractordiodesforuseinfrequencycontrolandfiltering.Featuring closelycontrolledCVcharacteristicsandhighQ.Lowreversecurrentensuresverylowphase noiseperformance.Availableinsingleordualcommoncathodeformatinawiderageof miniaturesur	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC835ATA	文件：334.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon25Vhyperabruptvaractordiodes Description Arangeofsiliconvaractordiodesforuseinfrequencycontrolandfiltering.FeaturingcloselycontrolledCVcharacteristicsandhighQ.Lowreversecurrentensuresverylowphasenoiseperformance.Availableinsingleordualcommoncathodeformatinawiderageofminiaturesurfac	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
UPA835TF
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	UPA835TF	NEC	24+	SOT-363	11208		詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	UPA835TF	NEC	16+	SOT-363	10000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	UPA835TF	NEC	23+	SOT-363	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	UPA835TF	NEC	17+	SOT-363	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	UPA835TF	NEC	1742+	SOT363	98215	只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	UPA835TF	NEC	2020+	SOT-363	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
UPA835TF	NEC	21+	SOT-363	6000	絕對(duì)原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	UPA835TF	NEC	2023+	SOT-363	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	UPA835TF	NEC	22+	SOT-363	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市恒達(dá)億科技有限公司	UPA835TF	NEC	23+	SOT23-6	4500	全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售!	詢價(jià)

更多UPA835TF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 16:00:00

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