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UPD753108GC-XXX-8BS

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VDD=1.8to5.5V ?Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries ?Internalmemory ?Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD753104) 6144×8bits(μPD753106) 8192×8bits(μPD753108) ?Datamemory(RAM): 512×4bits ?Capableofhigh-speedoperationandvari

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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UPD753108GC-XXX-8BS-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VDD=1.8to5.5V ?Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries ?Internalmemory ?Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD753104) 6144×8bits(μPD753106) 8192×8bits(μPD753108) ?Datamemory(RAM): 512×4bits ?Capableofhigh-speedoperationandvari

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UPD756504AGB-508-8ES-A

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上傳:深圳市正納電子有限公司

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UPD760157GC-M02-8BS-A

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UPD760191GC-306-8EA

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QFP

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更多UPD753108GC-XXX-8BS供應商 更新時間2025-8-2 22:58:00