首頁 >USR30P12>規(guī)格書列表
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LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P12BSusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwith gatevoltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseas aloadswitchorinPWMapplications.GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
P-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司 | DOINGTER |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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