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UT3406G-AE3-R

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUT3406usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandcanbeoperatedatlowgatevoltages.ThisdeviceisperfectfitforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)≤65mΩ@VGS=10V,ID=3.6A *RDS(ON)≤105mΩ@VGS=4.5V

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UT3406G-AE3-R

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

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SOT-23
6000
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更多UT3406G-AE3-R供應(yīng)商 更新時間2025-2-7 16:04:00

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