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V10D120C-M3

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D120C-M3SLASHI

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 2.5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable: -Automotive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D120C-M3/I

Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D120C-M3_15

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10D120C-M3/I

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V SMPD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多V10D120C-M3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 14:16:00

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