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V12PM6-M3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V12PM6-M3/I

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V12PM6-M3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V12PM6-M3SLASHH

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.39VatIF=6A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V12PM6-M3SLASHI

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.39VatIF=6A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    V12PM6-M3/I

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    eSMP?, TMBS?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    12A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    2050pF @ 4V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-277，3-PowerDFN

  • 供應商器件封裝：

    TO-277A（SMPC）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -40°C ~ 175°C

  • 描述：

    RECTIFIER BARRIER SCHOTTKY TO-27

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多V12PM6-M3/I供應商 更新時間2025-2-15 10:57:00

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