首頁 >V20120S-E3>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

V20120S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3_V01

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3_15

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V20120S-E3/4W

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細參數(shù)

  • 型號：

    V20120S-E3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
1937+
TO220
9852
只做進口原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VIS
22+
TO-220AB
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-220AB
11200
原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價
VIS
23+
TO-220AB
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
VISHAY/威世
24+
NA/
3455
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
 詢價
VIS
22+
TO-220AB
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
VISHAY
23+24
TO-220
17711
專業(yè)經(jīng)營各種場效應管、三極管、IGBT、可控硅、穩(wěn)壓IC
 詢價
VIS
25+
TO-TO-220AB
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
VISHAY/威世
24+
TO220
60000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多V20120S-E3供應商 更新時間2025-6-3 16:21:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多