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V20150C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

V20150C-E3SLASH4W
廠商型號(hào)

V20150C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

文件大小

168.29 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-11 12:30:00

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V20150C-E3SLASH4W規(guī)格書詳情

Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? AEC-Q101 qualified

? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

? Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

??For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

?

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