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V20150S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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V20150S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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V20150S-E3/ VF20150S-E3/ VB20150S-E3/ VI20150S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

分立; ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation\n;

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V20150S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC ?Halogen-freea

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V20150S-E3/VF20150S-E3/VB20150S-E3/VI20150S-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\n Low forward voltage drop, low power losses\n High efficiency operation\n\n \n;

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V20150S-E3_V01

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

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V20150S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC ?Halogen-freea

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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V20150S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

V20150S-E3_15

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20150S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    V20150S-E3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VIS
22+
TO-220AB
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
VIS
23+
TO-220AB
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
VIS
22+
TO-220AB
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
VIS
25+
TO-TO-220AB
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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VISHAY/威世
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1809+
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VISHAY/威世
23+
TO-220
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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N/A
62000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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FERRAZ/羅蘭熔斷器
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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Assmann
22+
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15374
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更多V20150S-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:02:00

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