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V30K60-M3SLASHH中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

V30K60-M3SLASHH
廠商型號(hào)

V30K60-M3SLASHH

功能描述

High Current Density Surface-Mount (TMBS?) Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.3 V at IF = 5 A

文件大小

169.68 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-28 23:01:00

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V30K60-M3SLASHH規(guī)格書詳情

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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