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V40100C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Lowthermalresistance ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD 22-B106

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威世科技威世科技半導體

V40100C-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Lowthermalresistance ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD 22-B106

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V40100CI

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA

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V40100CI_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA

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V40100G-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

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V40100G-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106

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V40100PGW

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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V40100PGW_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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V40120C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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V40120C

Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier

Features ·TrenchMosSchottkyBarrier ·GuardringforovervoltageProtection ·LowForwardVoltageDrop ·LowReverseLeakageCurrent ·HighSurgeCurrentCapability ·PlasticMaterialhasULFlammability Classification94V-O

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    V401

  • 功能描述：

    DIODE 40A 100V SCHOTTKY TO220-3

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列

  • 系列：

    -

  • 其它有關文件：

    STTH10LCD06C View All Specifications

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    - 電壓 - 在 If

  • 時為正向(Vf)（最大）：

    2V @ 5A 電流 - 在 Vr

  • 時反向漏電：

    1µA @ 600V 電流 -

  • 平均整流(Io)（每個二極管）：

    5A 電壓

  • -(Vr)（最大）：

    600V

  • 反向恢復時間(trr)：

    50ns

  • 二極管類型：

    標準

  • 速度：

    快速恢復 = 200mA（Io）

  • 二極管配置：

    1 對共陰極

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 供應商設備封裝：

    D2PAK

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1553(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    497-10107-2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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