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VAB1101SF

Variable Attenuator Patent product

YANTELYantel Corporation

研通高頻深圳市研通高頻技術(shù)有限公司

VB1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?Materialcategorization: APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?LoadSwitch ?LEDBacklightinginLCDTVs

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VB1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBA1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBA1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?HighFrequencyBoostConverter ?LEDBacklightforLCDTV

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBA1101N

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?Materialcategorization: APPLICATIONS ?DC/DCPrimarySideSwitch ?Telecom/Server ?MotorDriveControl ?SynchronousRectification

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBE1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBE1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?150°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBE1101MC

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBE1101N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝正品，支持實單
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更多VAB1101SF供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:36:00

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