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VB30M120C-M3

Trench MOS Schottky technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-M3SLASHI

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-M3/I

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-M3/I

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：30A 120V TO-263 TRENCH SKY RECT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VF30M120C-M3

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30M120C-M3

TrenchMOSSchottkytechnology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VI30M120C-M3

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多VB30M120C-M3供應商 更新時間2025-4-8 23:00:00

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