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VB40M120C_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VB40M120C_V01
廠(chǎng)商型號(hào)

VB40M120C_V01

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

107.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

VISHAY威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 17:00:00

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VB40M120C_V01規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in solar cell junction box as a bypass diode for

protection, using DC forward current without reverse bias.

MECHANICAL DATA

Case: D2PAK (TO-263AB)?

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade?

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102?

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: as marked

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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