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VBT10200C

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 (forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApacka

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3-4W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3-8W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10200C-E3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT10200C-E3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VFT10200C

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VIT10200C

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VBT10200C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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保證原裝正品,假一陪十
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100500
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Vishay Semiconductor Diodes Di
22+
TO263AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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VISHAY/威世
23+
TO-263
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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VISHAY/威世通
23+
TO263AB
6000
原裝正品，支持實(shí)單
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VISHAY/威世
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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VISHAY(威世)
23+
TO263
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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22+
TO-263AB
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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更多VBT10200C供應(yīng)商 更新時間2025-3-18 14:00:00

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