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VBT10202C-M3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10202C-M3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10202C-M3SLASH4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,and

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10202C-M3SLASH8W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,and

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10202C-M3/4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10202C-M3/8W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT10202C-M3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VBT10202C-M3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
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更多VBT10202C-M3供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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