VF20100C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	VF20100C-E3SLASH4W
功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
文件大小	167.72 Kbytes
頁面數(shù)量	5 頁
生產(chǎn)廠商	Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱	Vishay【威世科技】
中文名稱	威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2025-2-13 22:59:00

Ultra Low VF= 0.50 V at IF= 5 A

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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