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BAP51-06W

SiliconPINdiode

Generaldescription TwoplanarPINdiodesincommonanodeconfigurationinanSOT323smallSMDplastic package. Featuresandbenefits ?TwoelementsincommonanodeconfigurationinasmallSMDplasticpackage ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?AEC-Q101qualified

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BAP51-06W

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BAP51-06W

GeneralpurposePINdiode

Generaldescription TwoplanarPINdiodesincommonanodeconfigurationinanSOT323smallSMDplasticpackage. Featuresandbenefits ?TwoelementsincommonanodeconfigurationinasmallSMDplasticpackage ?Lowdiodecapacitance ?Lowdiodeforwardresistance ?AEC-Q101qualified Appli

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

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更多VI-J51-06供應商 更新時間2025-2-3 22:30:00

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