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VI20120SG-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VI20120SG-E3SLASH4W
廠商型號

VI20120SG-E3SLASH4W

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

162.45 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-6 23:01:00

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