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VI20150C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
VI20150C-E3SLASH4W |
功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A |
文件大小 |
168.29 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-14 17:40:00 |
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VI20150C-E3SLASH4W規(guī)格書詳情
Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A
FEATURES
? Trench MOS Schottky technology
? Low forward voltage drop, low power losses
? High efficiency operation
? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
? AEC-Q101 qualified
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
? Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
TYPICAL APPLICATIONS
??For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.
?
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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VISHAY/威世 |
2450+ |
TO262 |
8850 |
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VISHAY/威世 |
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TO-262AA |
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TO262AA |
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VISHAY/威世 |
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860000 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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TO-262 |
8600 |
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