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VP0106N3-G

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

GeneralDescription TheVP0106low-thresholdEnhancement-mode (normally-off)transistorsuseaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimped

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

VP0106N3-G

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0106N3-GP002

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0106N3-GP003

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0106N3-GP005

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0106N3-GP013

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0106N3-GP014

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

TN0106N3

N-CHANNELENHANCEMENT-MODED-MOSPOWERFETs

[TOPAZSEMICONDUCTOR] N-CHANNELENHANCEMENT-MODED-MOSPOWERFETs

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

TN0106N3

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

Features ■Lowthreshold—2.0Vmax. ■Highinputimpedance ■Lowinputcapacitance—50pFtypical ■Fastswitchingspeeds ■Lowonresistance ■Freefromsecondarybreakdown ■Lowinputandoutputleakage ■ComplementaryN-andP-channeldevices

SUTEX

Supertex, Inc

TN0106N3-G

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET

SUTEX

Supertex, Inc

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VP0106N3-G

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 8Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip Technology
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TO-92
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原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
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更多VP0106N3-G供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 10:12:00

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