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VP0109N3

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan

SUTEX

Supertex, Inc

VP0109N3

P-Channel Enhancement-Mode

P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

VP0109N3

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0109N3-G

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

GeneralDescription TheVP0109low-threshold,Enhancement-mode (normally-off)transistorusesaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimpe

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

VP0109N3-G

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0109N3-GP002

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0109N3-GP003

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0109N3-GP005

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

VP0109N3-GP014

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    VP0109N3

  • 功能描述：

    MOSFET 90V 8Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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3100
詢(xún)價(jià)
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絕對(duì)原裝現(xiàn)貨
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原裝正品 歡迎咨詢(xún)
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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更多VP0109N3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 16:00:00

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