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VS-GA200TH60S

High short circuit capability

VCES600V ICatTC=80°C200A VCE(on)(typical)atIC=200A,25°C1.9V SpeedDCto1kHz PackageDoubleINT-A-PAK CircuitHalfbridge FEATURES ?Highshortcircuitcapability ?10μsshortcircuitcapability ?VCE(on)withpositivetemperaturecoefficient ?Maximumjunctiontempe

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-GA200TH60S

Package：雙 INT-A-PAK（3 + 4）；包裝：盒 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VS-GA200TH60S

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    盒

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，200A（標(biāo)準(zhǔn)）

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    雙 INT-A-PAK（3 + 4）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    雙 INT-A-PAK

  • 描述：

    IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多VS-GA200TH60S供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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