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VT3060GHM3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting ?Solderbathtemperature275°Cmaximum

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VIT3060GHM3-4W

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting ?Solderbathtemperature275°Cmaximum

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    VT3060GHM3-4W

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多VT3060GHM3-4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 10:30:00