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VT6Z2T2R_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列-Rohm Semiconductor

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原廠料號：VT6Z2T2R品牌：Rohm Semiconductor

資料說明：TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

VT6Z2T2R是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝6-SMD的VT6Z2T2R晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個或更多的分立晶體管，這些晶體管可在電氣上完全隔離，也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補的特性，采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

  • 芯片型號：

    vt6z2t2r

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    VT6Z2T2R

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN，PNP

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    50V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，6V

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 頻率 - 躍遷：

    350MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-SMD

  • 供應商器件封裝：

    VMT6

  • 描述：

    TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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