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MMBT5550

NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier ?Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBT5550

HIGHVOLTAGETRANSISTORNPNSILICON

HighVoltageTransistor NPNSilicon

ZOWIEZowie Technology Corporation

智威智威科技股份有限公司

MMBT5550

NPN(HIGHVOLTAGETRANSISTOR)

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

MMBT5550

HighVoltageTransistorsNPNSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MMBT5550

HighVoltageTransistors

Features ●NPNSilicon

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

MMBT5550

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

MMBT5550

TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltageTransistor

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

MMBT5550

SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)

RECTRON

Rectron Semiconductor

MMBT5550

NPNGeneralPurposeAmplifier

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Highvoltagetransistors. ●Generalpurposeapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBT5550

NPNPlasticEncapsulateTransistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?CollectorCurrent:ICM=0.6A ?Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V ?OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C ?Capableof225mWattsofPowerDissipation ?Marking:M1F ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuf

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

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更多VUE-5550-UHD供應商 更新時間2025-5-30 11:06:00

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