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IRGP30B120KD-E

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology ?LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) ?10μsShortCircuitCapability

IRF

International Rectifier

IRGP30B120KD-EP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology ?LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) ?10μsShortCircuitCapability ?SquareRBSOA ?UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient ?ExtendedLeadTO-247ADPackage ?Lead-Free Bene

IRF

International Rectifier

IRGP30B120KD-EPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

MBR30B120CTH

PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

MBR30B120FCTH

PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

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62*27*15mm
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9350
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更多WC-PD30B120A供應(yīng)商 更新時間2025-4-7 11:06:00

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