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WFU1N60中文資料穩(wěn)先微電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

WFU1N60
廠商型號

WFU1N60

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET

文件大小

523.51 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡稱

Winsemi穩(wěn)先微電子

中文名稱

深圳市穩(wěn)先微電子有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-25 14:06:00

WFU1N60規(guī)格書詳情

General Description

This Power MOSFET is produced using Winsemis advanced planar stripe,VDMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on -state resistance,have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency switch mode power supply , electronic lamp ballasts based on half bridge and UPS.

Features

■ 1.3A,600V,RDS(on)(Max 8.5?)@VGS=10V

■ Ultra-low Gate Charge(Typical 9.1nC)

■ Fast Switching Capability

■ 100Avalanche Tested

■ Maximum Junction Temperature Range(150℃ )

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    WFU1N60

  • 制造商:

    WINSEMI

  • 制造商全稱:

    WINSEMI

  • 功能描述:

    Silicon N-Channel MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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